双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。

什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？

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双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（）来使用，在电路中得到了大量的应用。

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电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为：（）、（）、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。

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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

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双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。

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由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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绝缘栅双极型晶体管简称（）。

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用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（）

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双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。

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