氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
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太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。
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CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
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材料的禁带宽度，最大的是（）
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常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
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发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。
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GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
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已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。
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通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。
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