A50
B80
C100
D120
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。
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晶闸管反向重复峰值电压(有称反向阻断峰值电压)规定比反向击穿电压小()V。
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二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。()
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晶闸管断态重复峰值电压(又称正向阻断峰值电压)的数值,规定比正向转折电压小()V。
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二极管反向电压持续增大到一定数值以后,反向电流会突然增大,此现象称二极管的()。
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当二极管反向电压持续增大到一定数值以后,反向电流会突然增大,此现象称二极管的()
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稳压管在电路中均工作在反向击穿状态。()
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。
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当单相半波可控硅整流装置交流电源电压为220伏时,则应该选用()。
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