二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（）

晶闸管反向重复峰值电压（有称反向阻断峰值电压）规定比反向击穿电压小（）V。

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可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。

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可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。

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二极管反向电压持续增大到一定数值以后，反向电流会突然增大，此现象称二极管的（）。

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当二极管反向电压持续增大到一定数值以后，反向电流会突然增大，此现象称二极管的（）

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硅二极管的反向电流比锗二极管大。

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晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。

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用万用表测量二极管的正.反向电阻，电阻挡的量程应采用Ω×100挡或Ω×1k挡。（）

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绝缘材料按其正常运行条件下的最高允许工作温度分为（）个耐热等级。

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