A反向击穿特性
B安培特性
C反向特性
D伏安特性
当二极管反向电压持续增大到一定数值以后,反向电流会突然增大,此现象称二极管的()
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二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。()
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加到二极管两端的电压与通过二极管的电流之间的关系曲线,叫做二极管的()曲线。
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。
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用万用表测量二极管的正.反向电阻,电阻挡的量程应采用Ω×100挡或Ω×1k挡。()
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可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。
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晶闸管反向重复峰值电压(有称反向阻断峰值电压)规定比反向击穿电压小()V。
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可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。
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如果不知道被测电压信号的大小,示波器的灵敏度旋钮应首先拧到灵敏度最低的一挡,即V/cm数值()的一挡。
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