有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn，若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的（）。

有n个试品的介质损耗因数分别为tgδ1、tgδ2、tgδ3、……、tgδn，若将它们并联在一起测得的总tgδ值必为tgδ1、……、tgδn中的（）。

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当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）。

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现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。

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在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。

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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，影响测试结果的因数包括（）。

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测量小容量试品的介质损耗因数时，为什么要求高压引线与试品的夹角不小于90°？

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分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。

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在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。

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在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。

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