太阳能电池基片的厚度GaAs为（），a-Si为（）。

为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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GaAs或InP太阳能电池由于（）且有（），作为空间太阳能电池已被实用化。

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塑料太阳能电池在导电玻璃基片上形成（）的膜，是在通过在（）下进行焙烧完成。

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目前世界上，用铸造法制造基片得到的小面积电池片的最高转换效率可达到（）。

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目前在来锈钢基片上形成的电池片可得到（）的转换率，而在聚合物上仅为（）

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太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。

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即使a-Si太阳能电池的p层的厚度只有7nm，依然有（）的光被吸收，为了将此吸再降低，必须提高p层的（）。

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在结晶系中，多晶硅电池片的厚度为（）角，单晶硅电池片的厚度为（）角。

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国产蓄电池负极板厚度为（）mm；正极板厚度为（）mm。

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