GaAs或InP太阳能电池由于（）且有（），作为空间太阳能电池已被实用化。

为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中，电子迁移率最高的是哪种？最低的是哪种？

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GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

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InP电池片的转换效率是（）。

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太阳能电池基片的厚度GaAs为（），a-Si为（）。

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在声学中，一个量与同类基准量之比的对数称为级。常用的级的单位是dB（分贝）或NP（奈培）。INP=（）dB。

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为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能？

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以楼房为代表的建筑物中，具有建材功能且有良好外形的、有示范性的太阳能电池的总称，叫做（）

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为什么说InP适合做发光器件和OEIC？

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