功率MOSFET的保护技术有哪些？
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功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）电压控制器件。
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使用功率MOSFET时要注意（）。
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下列选项中，（）不是P-MOSFET的一般特性。
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双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是MCT。
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双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
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在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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简述IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
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