简述IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
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IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理如何？
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（）是融合了IGBT与GTO优点的一种新型电力电子器件。
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双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
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GTR、IGBT等过流保护中，为何要采用检测集射极电压作为保护基准？
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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
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说明GTO的开通和关断原理。与普通晶闸管相比较有何不同？
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