电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数。

普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

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在规定条件下，由门极触发晶闸管使其导通晶闸管能够承受而不至损坏的通态电流最大上升率称为通态电流临界上升率di/dt。

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在采用电力MOSFET的电路中，采用（）方式换流。

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电力电子器件P-MOSFET为（）器件。

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简述IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

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IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

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在某一开关电源中，功率管导通时管压降为2V，流过的电流为20A，关断时两端承受的电压为300V，开通时间为100ns，关断时间为200ns，开关频率为50kHz，占空比为0.6，试分别计算出开关管的通态损耗与开关损耗。

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简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

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二极管具有负温度系数，而普通电阻具有正温度系数。

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