半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

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禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

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禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

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在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）

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门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）

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下列材料属于N型半导体是（）。

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半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。

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物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。

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