在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）

半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。

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禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

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禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

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迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

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在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。

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双极晶体管中只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。（）

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抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）

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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

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光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

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