氢原子基态能量为E1=-13.6eV,第一激发态能量为E2=-3.4eV,t=20°C,则能级粒子数N2/N1可能为()
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氢原子中的电子处于ψ3,2,1状态时,电子的能量为()eV, 轨道角动量为()h/2π, 轨道角动量与z轴或磁场方向的夹角为()
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设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为: (1)禁带宽度; (2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
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将一个基态氢原子的电子转移到无限远的地方,需要2.179*10-18J。若将一个电子由n=3的能级激发到n=∞的能级,所需要的能量为:()
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施主能级和导带底之间的能量差,称为()。
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核磁共振普与红外、紫外一样,实际上都是()。红外光谱来源于分子振动-转动能级间的跃迁,紫外-可见吸收光谱来源于分子的电子能级间的跃迁。
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设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
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H原子中3d、4s、4p能级之间的能量高低关系为()
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室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。
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