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略
相似试题
设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： （1）禁带宽度； （2）导带底电子有效质量； （3）价带顶电子有效质量； （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
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设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量EV（k）分别为： 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
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电子能级间的能量差一般为1～20eV，计算在1eV，5eV，10eV和20eV时相应的波长（nm）。
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H原子中3d、4s、4p能级之间的能量高低关系为（）
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半导体中施主能级的位置位于（）中。
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半导体中施主能级的位置位于（）。
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导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。
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P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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