题干本题共包含 3 个小题

制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层,再在外延层中扩散硼、磷而成的。

简答题1

设n型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039eV,300K时的EF位于导带下面0.026eV处,计算锑的浓度和导带中电子浓度。

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简答题2

设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6×1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

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简答题3

在外延层中扩散硼后,硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。

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