题干本题共包含 3 个小题
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层,再在外延层中扩散硼、磷而成的。
简答题第1题
设n型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039eV,300K时的EF位于导带下面0.026eV处,计算锑的浓度和导带中电子浓度。
简答题第2题
设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6×1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。
简答题第3题
在外延层中扩散硼后,硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。
N沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。
填空题查看答案
世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
判断题查看答案
在N型半导体中,掺入()价杂质元素。
填空题查看答案
测量大电流的电流表,一般都是在基本量程上扩大,为什么不直接制造大电流的电流表?
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对于只含一种杂质的非简并n型半导体,费米能级EF随温度上升而()
单选题查看答案
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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