简答题

简述离子注入效应。

正确答案

沟道效应:当注入离子未与硅原子碰撞减速,而是穿透了晶格间隙时就发生了沟道效应。
控制沟道效应的方法:①倾斜硅片;
②缓冲氧化层;
③硅预非晶化(低能量(1KEV)浅注入应用非常有效);
④使用质量较大的原子。
注入损伤:高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤。
消除晶格损伤的方法:①注入缓冲层;
②离子注入退火工艺。

答案解析

相似试题
  • 简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免?

    简答题查看答案

  • 离子注入的沟道效应

    名词解析查看答案

  • 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。

    判断题查看答案

  • 简述离子注入工艺中退火的主要作用?

    简答题查看答案

  • 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。

    判断题查看答案

  • 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处,低能量则用于超浅结注入。

    判断题查看答案

  • 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。

    判断题查看答案

  • 离子注入

    名词解析查看答案

  • 离子注入

    名词解析查看答案