离子注入

离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。

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离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。

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离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。

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离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。

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离子注入

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与扩散源相比，离子注入有哪些优点？

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离子注入后为何退火？

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离子注入的沟道效应

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简述离子注入效应。

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