简答题

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

正确答案

硅中固态杂质扩散的三个步骤:
(1)预淀积:表面的杂质浓度浓度最高,并随着深度的加大而减小,从而形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立
(2)推进:这是个高温过程,用以使淀积的杂质穿过硅晶体,在硅片中形成期望的结深
(3)激活:这时的温度要稍微提升一点,使杂质原子与晶格中的硅原子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子,改变了硅的电导率。

答案解析

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