简答题

简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。

正确答案

把硅片置于气态产生的等离子体,等离子体中的带正电离子物理轰击硅片表面,等离子体中的反应粒子与硅片表面发生化学反应,从而去除暴露的表面材料。
干法刻蚀用物理和化学方法,可实现各向异性刻蚀,能实现图形的精确转移。干法刻蚀是集成电路刻蚀工艺的主流技术,广泛用于有图形刻蚀、回蚀和部分材料去除工艺。
把硅片置于液体化学试剂,化学腐蚀液与硅片表面发生化学反应,从而去除暴露的表面材料。湿法刻蚀用化学方法,一般是各向同性刻蚀,不能实现图形的精确转移。湿法刻蚀基本只用于部分材料去除工艺。

答案解析

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