列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点,干法刻蚀的不足之处是什么?
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干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。
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与干法刻蚀相比,湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,对器件不会带来等离子体损伤,并且设备简单。
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在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是()、()和()。
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为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体?
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干法刻蚀有高的还是低的选择比?
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高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
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在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
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对于大马士革工艺,重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
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