与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
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简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。
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干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
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在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
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干法刻蚀有高的还是低的选择比？
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高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
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为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？
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在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
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刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
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