A大于
B等于
C小于
本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。
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P型半导体中的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为()
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P型半导体中空穴为()载流子,自由电子为()载流子。
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P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()
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现有三个半导体硅样品,已知室温下(300K)它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3,p02=1.5×1010/cm3,p03=2.25×104/cm3 (1)分别计算这三个样品的电子浓度 (2)判别这三个样品的导电类型 (3)计算这三个样品的费米能级的位置
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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
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N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?
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P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。
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空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。
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