填空题

本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

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答案解析

相似试题
  • 在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

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  • (1)试证明在室温下,当半导体的电子浓度时,其电导率为最小值,求在上述条件下的空穴浓度。 (2)当ni=2.5×1013/cm3,μp=1900cm2/v˙s,μn=3800cm2/v˙s,求其本征电导率和电波电导率。 (3)当n0和p0为何值时,电导率等于本征电导率。

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  • P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。

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  • 半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。

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  • 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s, 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。

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  • 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。

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  • 半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级

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  • 现有三个半导体硅样品,已知室温下(300K)它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3,p02=1.5×1010/cm3,p03=2.25×104/cm3 (1)分别计算这三个样品的电子浓度 (2)判别这三个样品的导电类型  (3)计算这三个样品的费米能级的位置

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  • Si样品中的施主浓度为4.5×1016cm-3,试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少?

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