A对
B错
(1)试证明在室温下,当半导体的电子浓度时,其电导率为最小值,求在上述条件下的空穴浓度。 (2)当ni=2.5×1013/cm3,μp=1900cm2/v˙s,μn=3800cm2/v˙s,求其本征电导率和电波电导率。 (3)当n0和p0为何值时,电导率等于本征电导率。
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在半导体中,自由电子和空穴都是载流子。
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当红外辐射照在半导体表面时,电子空穴由束缚态变为自由态使半导体电性能现象称为()。
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本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。
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光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负
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在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。
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自由电子和空穴同时参与导电,是半导体导电的基本特征。()
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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
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现有三个半导体硅样品,已知室温下(300K)它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3,p02=1.5×1010/cm3,p03=2.25×104/cm3 (1)分别计算这三个样品的电子浓度 (2)判别这三个样品的导电类型 (3)计算这三个样品的费米能级的位置
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