单选题

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()

A它与试件上的磁通密度有关

B它与缺陷的高度有关

C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大

D以上都对

正确答案

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答案解析

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  • 下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的

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  • 在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关

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  • 在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关;与缺陷的()和()有关

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  • 在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关

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  • 下列关于缺陷形成漏磁通的叙述,正确的是()

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