单选题

下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

A缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小

B在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响

C交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小

D在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响

E除A以外都对

正确答案

来源：www.examk.com

答案解析

略

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下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）
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下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。
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