晶体结构缺陷

按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。

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晶体结构中的缺陷在温度为（）时才能生成。

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在书写晶体结构缺陷符号时，上标’’表示带（）个电荷。

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在书写晶体结构缺陷符号时，上标为•表示带（）个电荷。

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相变、合金化、晶体结构的不同以及晶体缺陷都会影响材料的热膨胀特性。

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在书写晶体结构缺陷符号时，上标不写表示带（）个电荷。

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由于（）的结果，必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”， 组分缺陷的浓度主要取决于（）和（）

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晶体结构缺陷按照其尺度范围（即按照偏离理想结构的周期性有规律排列的区域大小）来分类，可分为（）类。

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晶体结构中的点缺陷类型共分（）、（）和（） 三种，CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为（）。

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