P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

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P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。

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半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。

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P型半导体是本征硅（Si）内掺入微量的五价元素磷（P）制成的。

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P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

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P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

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如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。 判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）

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本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。

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n型半导体过渡金属氧化物催化剂和p型半导体过渡金属氧化物催化剂的形成各有哪几种方式？

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