PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。

由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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火花塞间隙越大，所需击穿电压就越高。

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简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。

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反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

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为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。

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CD越小，源漏结的掺杂区越深。

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PN结的寄生电容有几种，形成机理，对PN结的工作特性及使用的影响？

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PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。

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整流二极管的整流作用是利用PN结的（）特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的（）特性。

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