离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。
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（）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。
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离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。
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早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。
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对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。
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半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。
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损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
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在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。
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为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。
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