半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。

（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

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早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。

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离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。

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沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

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离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。

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对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

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离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。

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损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

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在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。

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