()就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到高温,消除损伤。
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早期,研究离子注入技术是用()来进行的。
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离子注入的主要气体源中,剧毒的有()。
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沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片()的不希望有的物质。
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离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有()。
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对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于()。
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离子注入装置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系统等。
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损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。
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在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按()的分布情况。
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