根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。

当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。

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场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。

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绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为（）和（）两种类型。

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（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。

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（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。

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实际电压源和电流源的内阻为零时，即为理想电压源和电流源。

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对于耗尽型绝缘栅场效应管，不论栅—源电压UGS为正，还是为负或零，都能起到控制电流ID的作用。

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如果受控源所在电路没有独立源存在时，它仅仅是一个无源元件，而当它的控制量不为零时，它相当于一个（）。

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单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。

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