宽带放大器的基极回路补偿，重要是对晶体管（）进行补偿。

宽带放大器的集电极回路补偿，是对晶体输出电容和（）进行补偿。

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试画出一高频功率放大器的实际线路。要求： （1）采用NPN型晶体管，发射极直接接地； （2）集电极用并联馈电，与振荡回路抽头连接； （3）基极用串联馈电，自偏压，与前级互感耦合。

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晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。

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晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结（）偏、集电结（）偏时的（）电流与（）电流之比。

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某晶体管的集电极电流ic为1.6mA。穿透电流ICEO为0.2mA，电流放大系数ß＝40，求基极电流ib和发射极电流ie。

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设一理想化的晶体管静特性如图所示，已知Ec=24V，Uc=21V，基极偏压为零偏，Ub=3V，试作出它的动特性曲线。此功放工作在什么状态？并计算此功放的θ、P1、P0、η及负载阻抗的大小。画出满足要求的基极回路。

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一晶体管组成的单回路中频放大器，如图所示。已知fo=465kHz，晶体管经中和后的参数为：gie=0.4mS，Cie=142pF，goe=55μS，Coe=18pF，Yie=36.8mS，Yre=0，回路等效电容C=200pF，中频变压器的接入系数p1=N1/N=0.35，p2=N2/N=0.035，回路无载品质因数Q0=80，设下级也为同一晶体管，参数相同。试计算： （1）回路有载品质因数QL和3dB带宽BW； （2）放大器的电压增益； （3）中和电容值。（设Cb′c=3pF）

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一晶体管组成的单回路中频放大器，如图所示。已知f0=465kHz，晶体管经中和后的参数为：gie=0.4mS，Cie=142pF，goe=55μS，Coe=18pF，Yie=36.8mS，Yre=0，回路等效电容C=200pF，中频变压器的接入系数p1=N1/N=0.35，p2=N2/N=0.035，回路无载品质因数Q0=80，设下级也为同一晶体管，参数相同。试计算： （1）回路有载品质因数QL和3dB带宽B0.7； （2）放大器的电压增益； （3）中和电容值。（设Cb’c=3pF）

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更换晶体管时，应首先接入基极，拆卸时，最后拆下基极。

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