对于GTR器件，常采用共（）极接法。

对于共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用（）电平驱动的七段显示译码器。

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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。

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对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）

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简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

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GTR的二次击穿的持续时间很短，一般在纳秒至微秒范围，常常立即导致器件的永久损坏。必需避免。

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GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理如何？

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对于焊点之间距离较近的多脚元器件拆焊时采用（）。

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半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共（）接法和共（）接法。

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七段LED显示器有共阴极和共阳极两种接法，共阴极接法的七段LED中要显示数字1，对应的16进制段码是（）。

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