正确答案
（1）SiO2淀积：用PECVD淀积内层氧化硅到希望的厚度。
（2）SiN刻蚀阻挡层淀积：厚250？的SiN刻蚀阻挡层被淀积在内层氧化硅上。SiN需要致密，没有针孔，因此使用HDPCVD。
（3）确定通孔图形和刻蚀：光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入SiN中，刻蚀完成后去掉光刻
（4）淀积保留介质的SiO2：为保留层间介质，PECVD氧化硅淀积。
（5）确定互连图形：光刻确定氧化硅槽图形，带胶。在确定图形之前将通孔窗口放在槽里。
（6）刻蚀互连槽和通孔。
（7）淀积阻挡层金属：在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的PCVD淀积钽和氮化钽扩散层。
（8）淀积铜种子层：用CVD淀积连续的铜种子层，种子层必须是均匀的并且没有针孔。
（9）淀积铜填充：用ECD淀积铜填充，即填充通孔窗口也填充槽。
（10）用CMP清除额外的铜：用化学机械平坦清除额外的铜。