如只考虑最近邻的相互作用，用紧束缚近似方法可以得到简立方晶体中s态电子能带为 E（k）=E0-A-2J（cos2πkx+cos2πky+cos2πkz） 试求： （1）能带宽度。 （2）能带底部和能带顶部的电子有效质量。
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对于晶格常数为2.5×10-20m 的一维晶体，当外加102/Vm和107/Vm电场时，分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
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描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念，用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。
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某一维晶体的电子能带为
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某一维晶体的电子能带为
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某一维晶体的电子能带为
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晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
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能量最高的是价电子所填充的能带，称为（）。
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负电子亲和势光电阴极的能带结构如何？它有哪些特点？
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