单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

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由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

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铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

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通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

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下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

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在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

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不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。

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