刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

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（）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。

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（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。

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（）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。

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刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

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薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。

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通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

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薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。

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二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。

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