Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中，电子迁移率最高的是哪种？最低的是哪种？

为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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GaAs或InP太阳能电池由于（）且有（），作为空间太阳能电池已被实用化。

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GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

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简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

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太阳能电池基片的厚度GaAs为（），a-Si为（）。

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将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。

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a-Si太阳能电池是由形成（）和负极的二个导电层、作为活性部分的半导体层这三层基本结构构成的

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热电偶测温回路接入第三种导体不宜采用与热电偶热电性质相差很远的材料，依据的是（）。

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P型半导体是本征硅（Si）内掺入微量的五价元素磷（P）制成的。

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