单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。

根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。

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绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为（）和（）两种类型。

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（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。

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（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。

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双、单极型三级管都是电流控制元件。

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由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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非接触式断电器组成的点火系统称为无触点点火系统，其放大电路又分晶体管电路和电容放电电路两种。（）

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当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。

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图P2.9中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、N沟道结型……）及管脚（b、e、c、d、g、s）

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