A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
C表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降
D有缺陷的试件，才会产生漏磁场
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）
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下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。
关于漏磁场的叙述，正确的是（）
下面关于漏磁场的描述中，正确的是（）
下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）
下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
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