A内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大
B缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比
C表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降
D用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）
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下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）
下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）
下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。
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