简答题
在制造硅半导体器体中，常使硼扩散到硅单晶中，若在1600K温度下，保持硼在硅单晶表面的浓度恒定（恒定源半无限扩散），要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半，问需要多长时间（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；当
时，
）？正确答案
答案解析
略
相似试题
半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
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如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）
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制造半导体元件时，常常需要测定硅片上的二氧化硅薄膜的厚度．可以将二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉，露出一个倾斜的劈尖膜．用波长为589.3nm的钠光垂直照射，观察到如图所示的条纹．已知硅的折射率为3.42，二氧化硅的折射率n=1.52，计算此氧化层的厚度d．
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在间隙固溶体中，溶质原子的扩散方式一般为（）。
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半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。
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半导体单晶中的点缺陷包括什么？
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置换固溶体中溶质原子要高于间隙固溶体中的溶质原子的扩散速度。
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晶体光纤可分为单晶与多晶两类。单晶光纤的制造方法主要有（）和（）。
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（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。
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