光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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光电倍增管的供电电路分为负高压供电和正高压供电,说明两种电路各有什么特点?
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简述乳糖操纵子结构,解释阻遏蛋白的负性调节机制,CAP的正性调节机制及不同生长条件下的协调调节。
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什么是光刻加工技术?试简述光刻加工的原理和工艺流程。
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常用焊接方式有哪些?它们各自的特点和区别是什么?
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光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率的因素是什么?最常用的曝光光源是什么?
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控制系统建模的基本方法有哪些?他们的区别和特点是什么?
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