A对
B错
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。
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负性和正性光刻胶有什么区别和特点?
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光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有()、()、()、()。
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什么是光刻加工技术?试简述光刻加工的原理和工艺流程。
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光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。
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光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是,光刻胶只对特定波长的光线敏感,例如深紫外线和白光,而对黄光不敏感。
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