对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
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负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
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什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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光刻工艺包括哪些工艺？
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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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简述光刻工艺的8个基本步骤。
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光刻加工的工艺过程为：（）
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