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略
相似试题
锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量mn*=0.015m0， m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能 ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
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试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
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氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
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已知在某一理想电介质（参数为γ=0，ε=4ε0，μ=5μ0）中的位移电流密度为2cos（ωt-5z）exμA/m2。求 （1）该媒质中的D和E； （2）该媒质中的B和H。
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CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
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材料的禁带宽度，最大的是（）
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发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。
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常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
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为了实现串联结构，有必要在部开发禁带宽度更广的（）。
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