大部分的多晶硅基片都是用所谓的铸造法生产的。基片广泛使用（）的角。目前用众所周知的固液界面的（）、液固速度等许多知识的累积来生产铸模。

目前世界上，用铸造法制造基片得到的小面积电池片的最高转换效率可达到（）。

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铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

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异质基片上高品质叠层的多晶硅型薄膜技术有几种方法？

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多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。

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由于单晶硅基片的制造技术和（）等的半导体技术有很多的共同点，因此新技术从半导休整上导入是有右能的，最近引人注目的技术之一是（）。

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生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（）

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在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学气相沉积法生产的氮化硅膜会产生哪两种效果？

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所谓全集成电路就是把三极管、二极管、电阻、电容器等元件同时制在一块硅基片下。

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干式法由于应力自由，因此既可以适用于切割（）基片，又可以适用于高效率的过程。

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