在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

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如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。 判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）

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N型半导体中电子是多子，空穴是（）。

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本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

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在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

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P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）

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P型半导体材料导电的载流子是空穴。

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P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。

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P型半导体中的空穴数目多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）

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