硅在高炉内的还原顺序是按SiO2→（）→逐级进行的。
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硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。
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减少高炉内硅的还原措施有（）。
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减少高炉内硅的还原措施有（）。
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炉顶压力提高不利于炉内硅的还原，对（）有利。
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硅的还原从滴落带开始，还原的途径有三种：渣铁反应、渣焦反应、气相SiO2还原，其中（）是硅还原的主要途径。
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硅的还原是在高炉的（）或（）上部才开始，达到（）水平面时达到最高，此时铁中含硅量是终铁含硅量的（）倍。
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硅的还原量与温度和SiO2的活度成正比；而增大[Si]的活度系数或CO气体的分压，都会使[Si]%下降。
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铁氧化物无论用何种还原剂还原，其含氧量均是由（）向（）逐级变化的。
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